AI驱动HBM需爆发，刻蚀、薄膜沉积等题环节将充分受益，集成电路ETF嘉实(562820)备受关注_新浪财经_新浪网

2026年8月4日盘中，驱动元件、需新浪新浪先进封装、爆发薄膜备受第三代半导体等板块概念涨幅居前，刻蚀截至10:36，沉积成电财经中证全指集成电路指数强势上涨2.49%，等题成分股新相微上涨9.42%，环节国科微上涨8.84%，将充嘉实杰华特上涨8.31%，分受芯朋微，益集颀中科技等个股跟涨。关注消息面，驱动公布修订后的需新浪新浪《集成电路布图设方式保护条例》自2026年10月15日起施行。《条例》旨在保护集成电路布图设方式专有权，爆发薄膜备受鼓励集成电路技术创新，刻蚀促进科学技术发展。AI驱动HBM需爆发，存储制程升级推高设备投资强度，刻蚀、薄膜沉积等题环节将充分受益。东吴证券测算，全球HBM晶圆月需将从2024年2.9万片跃升至2028年44.2万片，CAGR超90%。随着HBM4/E演进，DRAM产能持续被挤占，全球存储进入新一轮扩产周期，薄膜、刻蚀及量检测设备合方式占资本开支超50%，国内外存储厂同步扩产背景下，具有平台化能力及国产替代好处的设备龙头成首先空间广阔。数据显示，截至2026年7月31日，中证全指集成电路指数(932087)前十大权重股分别为寒武纪、海光材料、兆易创新、中芯国际、澜起科技、华虹宏力、首先电科技、佰维存储、芯原股份、豪威集团，前十大权重股合方式占比57.26%。集成电路ETF嘉实(562820)跟踪中证全指集成电路指数，是布局全产业链芯片龙头的便利工具。没有股票账户的场外投资者还可以通过集成电路ETF联接基金(022350)把握板块投资机会。海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP

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